光刻膠的選擇是一個復雜的過程。主要的決定因素是晶圓表面對尺寸的要求。光刻BCM5325MA2KQMG膠首先須具有產生那些所要求尺寸的能力。除了這些，還須有在刻蝕過程中阻擋刻蝕的功能。在阻擋刻蝕的作用中，保持特定厚度的光刻膠層中不能存在針孔。另外，光刻膠須能和晶圓表面很好地黏結，否則刻蝕后的圖形就會發生扭曲，就像是如果在印刷過程中蠟紙沒有和表面貼緊的話，就會得到一個濺污的圖形。以上那些，連同工藝緯度和階梯覆蓋能力，都是光刻膠性能的要素。在光刻膠的選擇過程中，工藝師通常會在不同的性能因素中做出權衡。光刻膠是復雜化學工藝和設備系統的一部分，它們須一起工作來產生好的圖形結果和可生產性，其設備須使廠商擁有可接受的購買成本。

   在光刻膠層能夠產生的小圖形或其間距通常被作為對光刻膠分辨率（resolution capability）的參考，，在晶圓上關鍵的器件和電路的尺寸( CD)是圖形化工藝的目標。產生的圖形或其間距越小，說明分辨率越高。一種特定光刻膠的分辨率，實際是指特工藝的分辨率，它包括曝光源和顯影工藝。改變其他的工藝參數會改變光刻膠固有的分辨率?？傮w來說，越細的線寬需要越薄的光刻膠膜來產生。然而，光刻膠膜須要足夠厚來實現阻擋刻蝕的功能，并且保證不能有針孔。光刻膠的選擇是這兩個目標的權衡。

   用深寬比( aspect  ratio)來衡量光刻膠與分辨率和光刻膠厚度

相關的特殊能力（見圖8. 13）。深寬比是光刻膠厚度與圖形開口尺寸的比值。隨著業界要求更小的圖形，圖形密度和形狀因子開始在光刻膠設計方面產生影響。對于一種給定的光刻膠，孤立圖形、水接觸孔和高密度圖形的區域，由于反射效果和化學反應因素，整個曝光和顯影都不同。從而，有專門用于這些情況而設計的光刻膠。

   正膠比負膠有更高的深寬比，也就是說，對于一個給定的圖

形尺寸開n，正膠的光刻膠層可以更厚。由于正膠的聚合物分子

尺寸更小，所以它可以分解出更小的圖形。其實這就有點像用更小的刷子來畫一條更細的線。對于先進的高密度甚大規模集成電路，更合適選用正膠。