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            光刻膠的選擇是一個復雜的過程

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            光刻膠的選擇是一個復雜的過程

            發布日期:2016-07-27 作者: 點擊:

             光刻膠的選擇是一個復雜的過程。主要的決定因素是晶圓表面對尺寸的要求。光刻BCM5325MA2KQMG膠首先須具有產生那些所要求尺寸的能力。除了這些,還須有在刻蝕過程中阻擋刻蝕的功能。在阻擋刻蝕的作用中,保持特定厚度的光刻膠層中不能存在針孔。另外,光刻膠須能和晶圓表面很好地黏結,否則刻蝕后的圖形就會發生扭曲,就像是如果在印刷過程中蠟紙沒有和表面貼緊的話,就會得到一個濺污的圖形。以上那些,連同工藝緯度和階梯覆蓋能力,都是光刻膠性能的要素。在光刻膠的選擇過程中,工藝師通常會在不同的性能因素中做出權衡。光刻膠是復雜化學工藝和設備系統的一部分,它們須一起工作來產生好的圖形結果和可生產性,其設備須使廠商擁有可接受的購買成本。


               在光刻膠層能夠產生的小圖形或其間距通常被作為對光刻膠分辨率(resolution capability)的參考,,在晶圓上關鍵的器件和電路的尺寸( CD)是圖形化工藝的目標。產生的圖形或其間距越小,說明分辨率越高。一種特定光刻膠的分辨率,實際是指特工藝的分辨率,它包括曝光源和顯影工藝。改變其他的工藝參數會改變光刻膠固有的分辨率??傮w來說,越細的線寬需要越薄的光刻膠膜來產生。然而,光刻膠膜須要足夠厚來實現阻擋刻蝕的功能,并且保證不能有針孔。光刻膠的選擇是這兩個目標的權衡。

               用深寬比( aspect  ratio)來衡量光刻膠與分辨率和光刻膠厚度

            相關的特殊能力(見圖8. 13)。深寬比是光刻膠厚度與圖形開口尺寸的比值。隨著業界要求更小的圖形,圖形密度和形狀因子開始在光刻膠設計方面產生影響。對于一種給定的光刻膠,孤立圖形、水接觸孔和高密度圖形的區域,由于反射效果和化學反應因素,整個曝光和顯影都不同。從而,有專門用于這些情況而設計的光刻膠。

               正膠比負膠有更高的深寬比,也就是說,對于一個給定的圖

            形尺寸開n,正膠的光刻膠層可以更厚。由于正膠的聚合物分子


            尺寸更小,所以它可以分解出更小的圖形。其實這就有點像用更小的刷子來畫一條更細的線。對于先進的高密度甚大規模集成電路,更合適選用正膠。

            光刻膠的選擇

            本文網址:http://www.jnycxf.com/news/371.html

            關鍵詞:光刻膠的選擇,光刻膠,刻膠

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