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            光刻加工光刻膠材料有哪些?

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            光刻加工光刻膠材料有哪些?

            發布日期:2019-01-25 作者: 點擊:

            光刻加工光刻膠材料有哪些?

            大家聽多了光刻機、蝕刻機以及nm工藝這樣的術語,對光刻膠還是十分陌生的。 

            買回來的硅圓片經過檢查無破損后即可投入生產線上,前期可能還有各種成膜工藝,然后就進入到涂抹光刻膠環節。微 影光刻工藝是一種圖形影印技術,也是集成電路制造工藝中一項關鍵工藝。 首先將光刻膠(感光性樹脂)滴在硅晶圓片上,通過高速旋轉均勻涂抹成光刻膠薄膜,并施加以適當的溫度固化光刻膠 薄膜。 

            涂好了光刻膠才能進入光刻機進行曝光,讓紫外線在光刻膠上生成掩膜中的電路圖,需要的時候還要多重曝光,反復使 用光刻膠,因此沒有這一步電路是造不出來的。 光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料,可以在光照后發生化學性質的改變,這是整個工藝的基礎。 光刻膠有不同的類型,PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚甲基戊二酰亞胺(PMGI)以及DNQ(酚醛樹脂)等材料都 可以做光刻膠。據有關資料顯示,到2022年光刻膠市場市場價值將達到415億美元,年復合增長率5.5%——算起 來這個市場比光刻機產值還要大得多,光刻膠是耗材。 

            目前光刻膠市場上的參與者多是來自于日本、韓國等國,包括陶氏化學、杜邦、富士膠片、信越化學、住友化 學、LG化學等等,中國公司在光刻膠領域也缺少核心技術。 PR作為一層薄膜涂覆到基片上(如硅上面的二氧化硅上),再通過掩模版曝光。掩模版要保持干凈,并含有要 轉印到襯底上的不透明圖形,以便在PR層上復制。PR經曝光后的區域有時變成可溶于顯影液的,有時變成不溶 于顯影液的。如果曝光后變得可溶于顯影液,則在PR上產生掩模的正性圖形。這種物質就稱為正性PR。反之, 若未曝光區域溶于顯影液,就產生負性圖形,就是負性PR。顯影后,未被PR覆蓋的SiO2層就被刻蝕掉。這樣 就在氧化層上復印了掩模版圖形。在這步工藝中PR有兩個作用。首先須對曝光有反應,以把掩模版圖形復印 到PR上面,其次余留的PR在后面的工藝中須保護下面的襯底,這種物質具有抵抗刻蝕的能力。

            通常的PR由三種成分組成:基體材料(也叫樹脂),作為粘合劑,確定了膜的機械特性;增感劑(也叫感光 劑),是一種感光的化合物(photo active compound,PAC);溶劑(不同于顯影溶劑),是PR保持液 態,但涂在襯底上時會揮發掉。一般還有第四種材料,添加劑,為了改善PR的某些特性。添加劑的配方各個PR 廠商都是保密的。 

            以下為光刻膠的主要組成成分: 

            Resion(樹脂) 

            Quencher(淬滅劑) 淬滅劑指通過分子間的能量轉移,迅速而有效地將激發態分子(單線態氧和三線態物質)淬滅,使轉變成熱能 或轉變成熒光或磷光,而輻射散失,回到基態的一類物質。

             Cross-link Surfactant(表面活性劑) 

            Solvent PAG

            光刻加工

            本文網址:http://www.jnycxf.com/news/391.html

            關鍵詞:光刻膠,光刻膠市場,光刻膠的主要組成成分

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