<p id="5nnrp"></p>

          <track id="5nnrp"></track><noframes id="5nnrp">
          <pre id="5nnrp"><ruby id="5nnrp"><ol id="5nnrp"></ol></ruby></pre>

          <pre id="5nnrp"></pre>

            <pre id="5nnrp"><pre id="5nnrp"><ruby id="5nnrp"></ruby></pre></pre><track id="5nnrp"></track>

            您好,歡迎訪問光刻加工,納米壓印,微納結構-無錫鼎元納米科技有限公司官網!

            首 頁 >> 新聞中心 >> 通知公告

            通知公告

            產品分類

            聯系我們

            企業名稱:

            聯系人:

            電話:

            手機:

            郵箱:

            傳真:

            地址:

            網址 :  www.jnycxf.com   

            X射線光刻技術

            您的當前位置: 首 頁 >> 新聞中心 >> 通知公告

            X射線光刻技術

            發布日期:2019-08-16 作者: 點擊:

            1895年,德國物理學家倫琴首先發現了X射線,也因此獲得了諾貝爾物理學獎。X射線是一種與其他粒子一樣具有波粒二象性的電磁波,可以是重原子能級躍遷或著是加速電子與電磁場耦合輻射的產物。X射線的波長極短,1972年X射線被早提出用于光刻技術上,X射線在用于光刻時的波長通常在0.7到0.12nm之間,它極強的穿透性決定了它在厚材料上也能定義出高分辨率的圖形。


            X射線波長極短,使得其不會發生嚴重的衍射現象。我們在使用X射線進行曝光時對波長的選擇是受到一定因素限制的,在曝光過程中,光刻膠會吸收X射線光子,而產生射程隨X射線波長變化而相繼改變的光電子,這些光電子會降低光刻分辨率,X射線的波長越短,光電子的射程越遠,對光刻越不利。因此增加X射線的波長有助于提高光刻分辨率。然而長波長的X射線會加寬圖形的線寬,考慮多種因素的影響,通常只能折中選擇X射線的波長。


            今年來的研究發現,當圖形的線寬小到一定程度時(一般為0.01μm以下),被波導效應影響,得到的圖形線寬要小于實際掩模圖形,因此X光刻分辨率也受到掩模版與晶圓間距大小的影響。


            除此之外,還需要大量的實驗研究來解決X射線光刻圖形微細加工時對圖形質量造成影響的諸多因素。

            光刻膠

            本文網址:http://www.jnycxf.com/news/417.html

            關鍵詞:光刻技術哪家好,光刻技術概念,光刻膠

            Z近瀏覽:

          1. 在線客服
          2. 聯系電話
            18013801415
          3. 在線留言
          4. 在線咨詢
            歡迎給我們留言
            請在此輸入留言內容,我們會盡快與您聯系。
            姓名
            聯系人
            電話
            座機/手機號碼
            郵箱
            郵箱
            地址
            地址