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    X射線光刻技術

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    X射線光刻技術

    發布日期:2019-08-16 作者: 點擊:

    1895年,德國物理學家倫琴首先發現了X射線,也因此獲得了諾貝爾物理學獎。X射線是一種與其他粒子一樣具有波粒二象性的電磁波,可以是重原子能級躍遷或著是加速電子與電磁場耦合輻射的產物。X射線的波長極短,1972年X射線被早提出用于光刻技術上,X射線在用于光刻時的波長通常在0.7到0.12nm之間,它極強的穿透性決定了它在厚材料上也能定義出高分辨率的圖形。


    X射線波長極短,使得其不會發生嚴重的衍射現象。我們在使用X射線進行曝光時對波長的選擇是受到一定因素限制的,在曝光過程中,光刻膠會吸收X射線光子,而產生射程隨X射線波長變化而相繼改變的光電子,這些光電子會降低光刻分辨率,X射線的波長越短,光電子的射程越遠,對光刻越不利。因此增加X射線的波長有助于提高光刻分辨率。然而長波長的X射線會加寬圖形的線寬,考慮多種因素的影響,通常只能折中選擇X射線的波長。


    今年來的研究發現,當圖形的線寬小到一定程度時(一般為0.01μm以下),被波導效應影響,得到的圖形線寬要小于實際掩模圖形,因此X光刻分辨率也受到掩模版與晶圓間距大小的影響。


    除此之外,還需要大量的實驗研究來解決X射線光刻圖形微細加工時對圖形質量造成影響的諸多因素。

    光刻膠

    本文網址:http://www.jnycxf.com/news/417.html

    關鍵詞:光刻技術哪家好,光刻技術概念,光刻膠

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