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            射線光刻掩模

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            射線光刻掩模

            發布日期:2019-08-19 作者: 點擊:

            在后光學光刻的技術中,其主要且困難的技術就是掩模制造技術,其中1:1的光刻非常困難,是妨礙技術發展的難題之一。所以說,我們認為掩模開發是對于其應用于工業發展的重要環節,也是決定成敗的關鍵。在過去的發展中,科學家對其已經得到了巨大的發展,也有一些新型材料的發現以及應用,有一些已經在實驗室中得以實踐,但對于工業發展還是沒有什么重大的成就。


            X射線掩模的基本結構包括薄膜、吸收體、框架、襯底,其中薄膜襯基材料一般使用Si、SiC、金剛石。吸收體主要使用金、鎢等材料,


            對于掩模的性能要求如下:


            1. 要能夠使X射線以及其他光線的有效透過,且保障其有足夠的機械強度,光刻膠具有高的X射線的吸收性,且要足夠厚。


            2. 保障其高寬比的量,且其要有高度的分辨率以及反差。


            3. 對于其掩模的尺寸要保障其精度,要沒有缺陷或者缺陷較少。


            對于襯基像Si3N4膜常常使用低壓CVD,而常常使用蒸發濺射電鍍等方法制造吸收體。為提高X射線掩模質量需要正確選擇材料、優化工藝。


            X射線光刻技術不僅擁有高分辨率,并且有高出產率的優點。通過目前對X射線光刻技術應用現狀來看,要將投入量產,使其在大規?;虺笠幠C電路的生產中發揮更重要的作用,突破高精度圖形掩模技術難關已經如同箭在弦上。

            光刻膠

            本文網址:http://www.jnycxf.com/news/418.html

            關鍵詞:光刻技術哪家好,光刻技術概念,光刻膠

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