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            熱壓印技術

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            熱壓印技術

            發布日期:2019-08-22 作者: 點擊:

            納米熱壓印技術是在微納米尺度獲得并行復制結構的一種成本低而速度快的方法。該技術在高溫條件下可以將印章上的結構按需復制到大的表面上, 被廣泛用于微納結構加工。整個熱壓印過程必須在氣壓小于1Pa 的真空環境下進行, 以避免由于空氣氣泡的存在造成壓印圖案畸變,熱壓印印章選用SiC 材料制造, 這是由于SiC非常堅硬, 減小了壓印過程中斷裂或變形的可能性。


            此外SiC 化學性質穩定, 與大多數化學藥品不起反應, 因此便于壓印結束后用不同的化學藥品對印章進行清洗。在制作印章的過程中, 先在SiC 表面鍍上一層具有高選比( 38&1) 的鉻薄膜, 作為后序工藝反應離子刻蝕的刻蝕掩模, 隨后在鉻薄膜上均勻涂覆ZEP 抗蝕劑, 再用電子束光刻在ZEP 抗蝕劑上光刻出納米圖案。為了打破SiC 的化學鍵, 必須在SiC 上加高電壓。后在350V 的直流電壓下, 用反應離子刻蝕在SiC 表面得到具有光滑的刻蝕表面和垂直面型的納米圖案。


            整個熱壓印過程可以分為三個步驟:


            ( 1) 聚合物被加熱到它的玻璃化溫度以上。這樣可減少在壓印過程中聚合物的粘性, 增加流動性,在一定壓力下, 就能迅速發生形變。但溫度太高也沒必要, 因為這樣會增加升溫和降溫的時間, 進而影響生產效率, 而對模壓結構卻沒有明顯改善, 甚至會使聚合物彎曲而導致模具受損。同時為了保證在整個壓印過程中聚合物保持相同的粘性, 必須通過加熱器控制加熱溫度不變。


            (2) 在印章上施加機械壓力, 約為500 ~1000KPa 。在印章和聚合物間加大壓力可填充模具中的空腔。


            (3) 壓印過程結束后, 整個疊層被冷卻到聚合物玻璃化溫度以下, 以使圖案固化, 提供足夠大的機械強度, 便于脫模。然后用反應離子刻蝕將殘余的聚合物( PM?MA) 去掉, 模板上的納米圖案完整地轉移到硅基底表面的聚合物上, 再結合刻蝕技術把圖形轉移到硅基底上。

            熱壓印技術

            本文網址:http://www.jnycxf.com/news/419.html

            關鍵詞:熱壓印技術,光刻技術概念,光刻膠

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