1光刻膠的靈敏度

靈敏度是指單位面積上入射的使光刻膠全部發生反應的min光能量（對紫外光刻膠而言）或min電荷量（對電子束光刻膠而言）。數值越小表明靈敏度越高，曝光所需的劑量相應越小，曝光過程越快。通常負膠的靈敏度要高于正膠。

靈敏度太低會影響產出效率，所以通常情況下希望光刻膠有較高得靈敏度；然而靈敏度太高會犧牲分辨率。

2光刻膠的分辨率

分辨率是指排除光刻設備影響，能在光刻膠上再現的min特征尺寸。光刻工藝中影響分辨率的因素有：能量源、曝光方式以及光刻膠本身（包括靈敏度、對比度、顆粒的大小、顯影時的溶脹、電子散射等）。通常正膠的分辨率要高于負膠。

下面討論一下分辨率與靈敏度的關系：

假設入射電子數為N，考慮隨機因素，實際入射得電子數在N±。為保證出現min劑量時不少于需求劑量的90%，要求￡10%，得Nmin=100。對于關鍵尺寸曝光區要滿足：

其中，Wmin為特征尺寸，即分辨率?？梢?，隨著靈敏度S增加，Wmin會逐漸增大，分辨就會變差。

(a)150 nm孤立線寬；(b)100nm孤立線條(c)50nm孤立線寬

3光刻膠的對比度

指光刻膠從曝光區到非曝光區過度的陡度。對比度越高的光刻膠，顯影過程中其厚度變化的反差大、過渡區小、輪廓清晰、邊壁陡直。通常正膠的對比度要高于負膠。

對比度定義為：

其中，D0為開始光化學反應所需要的min曝光劑量；D100為全部光刻膠被曝光所需要的曝光劑量。D0、D100的間距越小，光刻膠的對比度就越大，這樣有助于得出清晰的圖形輪廓和高的分辨率。一般光刻膠的對比度在0.9-2.0之間。對于亞微米圖形，要求對比度大于1。

工程師在選擇光刻膠時，一般會從以上的性能結果來進行評價，同時會兼顧現有的產品要求、設備能力及光刻膠成本等進行綜合考慮。